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资料
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXTH50N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V277220-49¥0.013550-99¥0.0125100-299¥0.0120300-499¥0.0116500-999¥0.01131000-4999¥0.01115000-9999¥0.0109≥10000¥0.0107
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3Pin(3+Tab) TO-247AD72031-9¥58.377010-99¥55.0275100-249¥52.5393250-499¥52.1565500-999¥51.77371000-2499¥51.34312500-4999¥50.9603≥5000¥50.7210
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD154320-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。61661-9¥62.537010-99¥59.8180100-249¥59.3286250-499¥58.9479500-999¥58.34971000-2499¥58.07782500-4999¥57.6972≥5000¥57.3709
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品类: 电子元器件分类描述: Advance Technical Information40451-9¥41.443410-99¥39.0655100-249¥37.2991250-499¥37.0273500-999¥36.75551000-2499¥36.44982500-4999¥36.1781≥5000¥36.0082
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品类: 电子元器件分类描述: N-CH 500V 19A42521-9¥300.311010-49¥292.476850-99¥286.4706100-199¥284.3815200-499¥282.8146500-999¥280.72551000-1999¥279.4198≥2000¥278.1141
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT92311-9¥94.978510-99¥90.8490100-249¥90.1057250-499¥89.5276500-999¥88.61911000-2499¥88.20612500-4999¥87.6280≥5000¥87.1325
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品类: 二极管阵列描述: IXYS SEMICONDUCTOR DSB80C45HB Small Signal Schottky Diode, Dual Common Cathode, 45V, 40A, 580mV, 450A, 150℃39775-49¥13.396550-199¥12.8240200-499¥12.5034500-999¥12.42331000-2499¥12.34312500-4999¥12.25155000-7499¥12.1943≥7500¥12.1370
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品类: 稳压芯片描述: IC REG LDO 5V 7.5A TO247-3645220-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: 双极性晶体管描述: PNP 复合晶体管,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管94475-49¥29.062850-199¥27.8208200-499¥27.1253500-999¥26.95141000-2499¥26.77752500-4999¥26.57885000-7499¥26.4546≥7500¥26.3304
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品类: IGBT晶体管描述: 高速2 -技术 HighSpeed 2-Technology54985-49¥14.660150-199¥14.0336200-499¥13.6828500-999¥13.59511000-2499¥13.50732500-4999¥13.40715000-7499¥13.3445≥7500¥13.2818
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGW30H65FB TO-247578210-99¥11.9640100-499¥11.3658500-999¥10.96701000-1999¥10.94712000-4999¥10.86735000-7499¥10.76767500-9999¥10.6878≥10000¥10.6480
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品类: MOS管描述: StrongIRFET™ 功率 MOSFET,Infineon Infineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。360110-99¥8.7360100-499¥8.2992500-999¥8.00801000-1999¥7.99342000-4999¥7.93525000-7499¥7.86247500-9999¥7.8042≥10000¥7.7750
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品类: 电子元器件分类描述:39045-49¥33.988550-199¥32.5360200-499¥31.7226500-999¥31.51931000-2499¥31.31592500-4999¥31.08355000-7499¥30.9383≥7500¥30.7930
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品类: 电子元器件分类描述: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC80095-49¥22.534250-199¥21.5712200-499¥21.0319500-999¥20.89711000-2499¥20.76232500-4999¥20.60825000-7499¥20.5119≥7500¥20.4156
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品类: 电子元器件分类描述: 功率MOSFET Power MOSFET14215-49¥16.731050-199¥16.0160200-499¥15.6156500-999¥15.51551000-2499¥15.41542500-4999¥15.30105000-7499¥15.2295≥7500¥15.1580
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品类: 电子元器件分类描述: MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC920320-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: 电子元器件分类描述:32735-49¥19.457150-199¥18.6256200-499¥18.1600500-999¥18.04361000-2499¥17.92712500-4999¥17.79415000-7499¥17.7110≥7500¥17.6278
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW55NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V74451-9¥89.010010-99¥85.1400100-249¥84.4434250-499¥83.9016500-999¥83.05021000-2499¥82.66322500-4999¥82.1214≥5000¥81.6570
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品类: 电子元器件分类描述: 绝缘栅双极晶体管( VCES = 600V ,的VCE(on )典型值= 1.95V , @ VGE = 15V , IC = 12A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)878520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3Pin(3+Tab) TO-247AC15015-49¥29.062850-199¥27.8208200-499¥27.1253500-999¥26.95141000-2499¥26.77752500-4999¥26.57885000-7499¥26.4546≥7500¥26.3304
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24741771-9¥111.354510-99¥106.5130100-249¥105.6415250-499¥104.9637500-999¥103.89861000-2499¥103.41442500-4999¥102.7366≥5000¥102.1557
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品类: MOS管描述: VISHAY SIHG25N40D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 400 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V19625-49¥12.437150-199¥11.9056200-499¥11.6080500-999¥11.53361000-2499¥11.45912500-4999¥11.37415000-7499¥11.3210≥7500¥11.2678
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品类: IGBT晶体管描述: STGW60H65DF 系列 650 V 120 A 场截止 沟道栅 IGBT - TO-247-364301-9¥54.448610-99¥51.3245100-249¥49.0037250-499¥48.6467500-999¥48.28971000-2499¥47.88802500-4999¥47.5310≥5000¥47.3078
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品类: 二极管阵列描述: 肖特基整流器 Schottky Rectifiers99495-49¥17.982950-199¥17.2144200-499¥16.7840500-999¥16.67651000-2499¥16.56892500-4999¥16.44595000-7499¥16.3691≥7500¥16.2922
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品类: 电子元器件分类描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD96965-49¥12.308450-199¥11.7824200-499¥11.4878500-999¥11.41421000-2499¥11.34062500-4999¥11.25645000-7499¥11.2038≥7500¥11.1512
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 60V 80A TO-247698420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET 32安培, 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247905320-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: 稳压芯片描述: LDO Regulator Pos 3.3V 7.5A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247930620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000